SK海力士全球率先成功研发出128层4D Nand闪存芯片

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【CNMO新闻】6月26日，SK海力士宣布成功开发出“128层1Tb的TLC（Triple Level Cell）4D Nand闪存”并将于今年下半年(7月~12月)开始投入量产。去年10月SK海力士开发出96层4D Nand闪存芯片，新的128层4D Nand闪存生产效率是96层4D Nand芯片的40%。
SK海力士
相比于传统的3D Nand闪存，4D Nand闪存解决了芯片设计过程中最为困扰的面积问题，大大提高了生产效率。SK海力士表示：“新产品使用同样的4D平台，通过对工程进行最佳优化，在比96层产品增加了32层储存单元的情况下，还将全部的工程程序减少了5%”。
4D Nand闪存
最近DRAM和Nand闪存等存储芯片的价格不断下降，在今年第一季度SK海力士已经出现亏损，现在SK海力士似乎打算通过Nand闪存领域寻找新的突破口。SK海力士计划从今年下半年正式开始出售128层4D闪存芯片，其能够广泛应用于数据中心使用的企业级固态硬盘(SSD)、需要大容量存储芯片的5G服务等领域。